NTMFS4927NT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流（ID）為80A，漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其低導通電阻有助于在高電流條件下顯著降低功率損耗，提升系統效率。適用于開關電源、電機控制、電池管理系統及各類高頻率功率轉換電路，能夠在緊湊布局中實現優異的熱性能與電氣穩定性。
