BSC079N03SG-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備50A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為6.5毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其較低的導通電阻有助于在高電流應用中減少功率損耗和發熱，提升系統效率。適用于開關電源、負載開關、電池管理系統以及高頻功率轉換等電路，在緊湊型設計中可提供可靠的電氣性能和良好的熱穩定性。
