STD7N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5.3A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:820mR 參數(shù)4：VGS:-8/+19V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備5.3A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻為820mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至!9V。采用碳化硅材料，器件在高耐壓基礎(chǔ)上實現(xiàn)了較低的導(dǎo)通損耗，并具有良好的高溫穩(wěn)定性和快速開關(guān)能力。適用于對體積、效率及熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，尤其適合高頻運行環(huán)境下的功率開關(guān)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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