NTD4806NAT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至5毫歐。其高電流承載能力和極低的導通損耗使其適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景。器件在大電流工作狀態下仍能保持較低的溫升，適合用于各類高密度、高效率的開關電路中，能夠有效提升系統整體能效與穩定性。
