FDD044AN03L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具備120A的連續漏極電流和30V的漏源擊穿電壓，導通電阻僅為3毫歐，在高電流應用中可顯著降低導通損耗。其低RDS(ON)特性有助于提升系統效率并減少發熱，適用于大電流電源轉換、電池管理系統、電動工具驅動以及高頻同步整流等場合。器件在保持高可靠性的同時，支持高效能量傳輸與緊湊型電路設計。
