BSZ088N03MSGATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有45A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6mΩ，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。器件在中等電流水平下保持較低的導通損耗，適合對能效和熱管理有一定要求的應用場景。常用于電源轉換模塊、便攜式設備供電系統、電機驅動電路以及高頻開關應用中，能夠在保證電氣性能的同時支持緊湊型電路設計。
