CRJD390N65GC_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統。其低導通損耗與快速開關能力有助于提升整體能效表現，在適配器、服務器電源及可再生能源轉換等場景中展現出良好的適用性。
