SI7388DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5.7毫歐。低導通電阻有助于在高電流工作條件下顯著降低功率損耗與溫升，提升系統(tǒng)效率。器件適用于對能效和熱性能要求較高的中低電壓開關應用，例如電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)及各類電子負載控制電路，能夠可靠支持頻繁開關操作與持續(xù)大電流傳輸。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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