NTMFS4839NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET額定漏極電流（ID）為80A，最大漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）典型值為4.7毫歐，柵源電壓（VGS）最高支持20V。其低導通電阻有助于在大電流工作條件下有效降低功率損耗和溫升，適用于高效率電源轉換、電池管理系統、電機控制及各類高電流開關電路。器件結構優化了開關特性，適合對體積和熱性能有較高要求的電子系統。
