STL60NH3LL-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備50A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為6.5毫歐。其低導通電阻有助于降低導通損耗，提升系統整體效率，適用于高電流開關、電源轉換及電機控制等應用場合。器件結構設計支持良好的熱穩定性和快速開關特性，適合在對功率密度和能效有較高要求的電子系統中使用。
