AOD6N50_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為1300毫歐。器件適用于中高電壓開關(guān)場(chǎng)景，能夠在保證穩(wěn)定導(dǎo)通的同時(shí)有效控制功耗。其N溝道結(jié)構(gòu)便于在正向驅(qū)動(dòng)條件下實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)操作，適合用于電源管理、適配器、照明驅(qū)動(dòng)及各類通用電子設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與控制環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
