SVS65R380FD4_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場和優(yōu)異熱導(dǎo)率，在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的功率損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)、光伏逆變器及對體積與效率有嚴(yán)苛要求的電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
