TK4A65DA(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:3.9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）為3.9A，導通電阻（RDS(on)）為1555mΩ。其柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，具備良好的開關特性和熱穩定性。由于采用碳化硅材料，器件在高頻工作條件下仍能保持較低的開關損耗，適用于對效率和體積有較高要求的電源轉換、適配器及可再生能源相關電路中。
