AM7436N-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備90A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5mΩ，在柵源電壓（VGS）達20V時可確保可靠運行。低導通電阻有效降低導通損耗，提升整體能效，適用于高電流開關電源、電機控制及高效功率轉換等應用場合。其電氣特性適合在高頻操作或對熱管理要求較高的電路中使用，兼顧開關速度與導通性能。
