STP5NK65ZFP-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:3.9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和3.9A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為1555mΩ。柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于對開關效率和熱性能有較高要求的電力電子場景。其碳化硅材料特性有助于降低開關損耗并提升系統整體能效，適合用于高頻、高效率的電源轉換架構中。
