TSM080NB03CR RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持80A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至4.7毫歐，柵源電壓額定值為20V。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統整體效率，適用于高電流密度的電源管理、電機驅動以及高頻開關電路等應用。器件結構設計兼顧熱性能與電氣特性，適合在緊湊型電子系統中實現高效能運行。
