TSM038N03PQ33 RGG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2.9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有120A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.9毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其極低的導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，在大電流工作條件下維持較高的能效。適用于高功率密度的電源系統(tǒng)、電機驅(qū)動電路及高頻開關(guān)應(yīng)用，能夠在緊湊的電路布局中提供穩(wěn)定的電氣性能和良好的熱表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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