TSD65R300_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源電壓耐壓達650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性。適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類對體積與能效有較高要求的電力電子裝置中，能夠有效支持緊湊型電路設計與高功率密度實現。
