AON7784_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至2.9毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有助于顯著減少導通損耗，在高電流工作條件下維持較低的溫升。適用于電源管理、電機驅動、同步整流及高效率開關電路等應用場合，能夠在高頻或持續大電流運行中提供穩定的電氣性能和良好的熱表現。
