TPN8R903NL,LQ_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。在中等電流應用中，該器件能夠提供較低的導通損耗，有助于維持較高的能效水平并簡化熱管理設計。適用于對體積與效率有一定要求的電源開關電路，可在多種電子設備的功率控制和配電模塊中實現穩定可靠的性能表現。
