NVMFS6B03NLT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）支持120A的連續漏極電流，最大漏源電壓為100V，導通電阻低至3.6毫歐。憑借極低的導通電阻，器件在高電流應用中可顯著降低導通損耗，提升系統效率。適用于對能效和熱性能要求較高的開關電源、電機驅動及功率轉換電路，有助于實現緊湊布局與高效運行。
