NVMFS6B03NLT3G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有120A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.6毫歐。其高電流承載能力與低導通損耗特性，使其適用于對效率和熱性能要求較高的功率轉(zhuǎn)換場景。器件采用標準封裝結(jié)構(gòu)，便于在高密度電路布局中集成，適合用于電源管理、電機驅(qū)動及高頻開關(guān)等應(yīng)用場合，能夠有效提升系統(tǒng)整體能效與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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