NVMFS6B03NLWFT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導通電阻低至3.6毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，在高電流工作條件下維持較高的能效。器件適用于對功率密度和效率有較高要求的電源轉換、電機驅動及開關應用場合，能夠有效支持高頻操作并降低系統熱管理負擔。
