AOTF7N65_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:3.9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和3.9A的連續漏極電流（ID），在25℃下典型導通電阻（RDS(on)）為1555mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下穩定工作。憑借碳化硅材料的優異特性，該器件在高頻、高效率應用場景中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于對能效和緊湊布局有較高要求的電源轉換系統。
