AON7210_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。適用于高電流、低電壓環境下的電源轉換、電機控制及同步整流等電路拓撲。其優異的導通特性和大電流承載能力，使其在頻繁開關或持續高負載條件下仍能保持良好的熱穩定性和電氣性能。
