SPD03N50C3ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。其高耐壓能力適用于需要承受較高電壓的開關場合，而適中的導通電阻在保證可靠導通的同時控制功耗。該器件結構適合用于電源轉換、負載開關及各類電子設備中的功率控制環節，尤其在對電壓應力有一定要求的應用中表現穩定。
