NVMFS5C673NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備65A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為60V，導通電阻為8毫歐，在柵源電壓不超過20V的條件下穩定運行。其低導通電阻有助于有效降低導通損耗，提升整體效率。適用于高電流密度的電源轉換、電機驅動以及高頻開關電路等應用場景，能夠在有限空間內實現良好的熱管理和電氣性能。
