PJD8NA65A_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備900V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為712mΩ，柵源電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高電壓應用中展現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于高頻開關電源、光伏逆變器及高效率電能轉換系統等場景，可在較高工作溫度下維持可靠性能。
