PJQ5410_R2_00001_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為30V，導通電阻為4.7毫歐，最大柵源電壓為20V。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統整體效率，適用于高電流密度的電源轉換、電機驅動、電池充放電控制及高頻開關電路等場合。器件在保持良好熱穩定性和開關特性的同時，適合對空間和能效有較高要求的電子系統。
