NTD4810NHT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐，在高電流應用中可有效控制功率損耗。器件適用于需要高效能開關操作的場合，如電源轉換、電池管理系統及各類電子負載控制電路。其低導通電阻與高電流承載能力有助于提升系統整體效率，并支持緊湊型電路布局設計。
