LSG65R380GT_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻典型值為260mΩ。柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V，適用于對效率和開關速度要求較高的電力電子系統。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫穩定性和低開關損耗特性，適合在高頻、高效率的電源轉換場景中使用，可有效提升系統整體能效與功率密度。
