CSD17309Q3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4mΩ。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。適用于高電流負載場景，如電源轉換模塊、便攜式設備供電系統及高性能計算平臺中的電源管理單元。其電氣特性支持快速開關操作，在高頻工作條件下仍可維持較低的熱應力與穩定性能。
