SQS482EN-T1_BE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流為35A，最大漏源電壓為30V，導通電阻為7.5毫歐。其電氣特性適合用于中等功率的開關應用，在導通狀態下可有效控制功耗與溫升。由于具備較低的RDS(on)和適中的電流能力，該器件適用于高效電源轉換、電池供電設備中的功率開關以及同步整流等電路拓撲，能夠在有限的散熱條件下維持穩定運行。
