STFU9N65M2_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5.1A的連續漏極電流（ID）以及820mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。其柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V，適用于多種驅動條件。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關操作中表現出較低的損耗和良好的熱穩定性，適合用于高效率電源轉換、可再生能源系統中的功率調節以及對體積和散熱有較高要求的電力電子設備。
