SI7748DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備90A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于對效率和熱管理要求較高的直流開關電路、電源轉換模塊以及大電流負載控制等場合，能夠有效支持高功率密度設計需求。
