NVMFS5C673NLAFT1G-YE_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具備65A的漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，柵源電壓（VGS）額定值達20V。低導通電阻有助于在高電流工作時減少功率損耗與溫升，適用于電源轉換、電機控制、電池管理系統及各類高效率開關電路中。其電氣參數組合使其在需要大電流承載能力和快速開關響應的電子設備中具有良好的適用性。
