TPN4R203NC,L1Q_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有70A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐。器件采用優化結構設計，在高電流負載下仍能保持較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景。其低RDS(ON)特性有助于減少功率損耗，提升系統整體能效，適合用于各類高頻開關及大電流輸出的電子設備中。
