SQS124ELNW-T1_GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）支持100A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至2.5毫歐。其極低的導通電阻有效降低了導通損耗，有利于提升整體能效并簡化熱設計。器件適用于高電流、高效率要求的電源轉換場景，如服務器供電模塊、高性能計算設備及便攜式大功率儲能系統等，在高頻開關條件下仍可維持穩定工作特性。
