PJMD990N65EC_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有900V的漏源擊穿電壓（VDSS）、11A的連續漏極電流（ID）以及712mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高電壓條件下展現出較低的導通與開關損耗，并具備良好的熱穩定性。適用于高頻、高效率要求的電源轉換場合，尤其在需要高耐壓和緊湊設計的系統中表現突出。
