GC11N65K_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和低導(dǎo)通損耗特性，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和熱性能。適用于對(duì)轉(zhuǎn)換效率、響應(yīng)速度及系統(tǒng)緊湊性有明確需求的電源管理、可再生能源接入以及高密度電力電子模塊等場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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