NVMFS5C450NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備40V的漏源擊穿電壓（VDSS）、130A的連續漏極電流（ID），以及低至2.8毫歐的導通電阻（RDS(on)）。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低溫升。適用于大電流電源管理、高效DC-DC轉換器、電池供電系統及各類需要高效率開關操作的電子設備中，能夠在高頻開關應用中提供穩定的電氣性能和可靠的運行表現。
