FDD8880_NL_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在典型工作條件下導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效，適用于高電流開(kāi)關(guān)、電源轉(zhuǎn)換及電機(jī)控制等應(yīng)用場(chǎng)合。器件結(jié)構(gòu)支持快速開(kāi)關(guān)操作，在高頻工作狀態(tài)下仍能保持良好的性能穩(wěn)定性，適合用于對(duì)功率密度和熱管理有較高要求的電子系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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