NTMFS5H431NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:130A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有130A的連續(xù)漏極電流（ID）、40V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.8毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有助于顯著減少導通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于大電流開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電池充放電控制及高效功率轉(zhuǎn)換等場合，能夠在高頻開關(guān)操作中保持良好的電氣性能和熱穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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