SVS11N65FD2_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)操作中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源、服務(wù)器電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及各類對能效和熱管理有較高要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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