BSC070N10NS3GATMA1_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有75A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝結(jié)構(gòu)，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時(shí)支持大電流工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。該MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)環(huán)境中表現(xiàn)出良好的動(dòng)態(tài)特性，適合對(duì)功率密度和熱管理有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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