BSC032N04LSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:130A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備130A的連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為2.8毫歐。其極低的導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于對(duì)效率和熱性能要求較高的電源轉(zhuǎn)換、大電流開(kāi)關(guān)以及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場(chǎng)景，能夠支持頻繁開(kāi)關(guān)操作并保持穩(wěn)定可靠的電氣特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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