TK14V65W,LQ_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:14A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:315mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有14A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為315mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高效率應用場景中表現出較低的開關損耗與導通損耗，適用于對能效和熱管理要求較高的電源轉換系統。其電氣參數組合使其在中等功率等級下具備良好的性能平衡，適合用于各類高效電力電子裝置中的開關控制環節。
