FCP099N65S3-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET支持30A的連續漏極電流，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為94mΩ，可在柵源電壓-10V至@5V范圍內可靠運行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源系統。其電氣參數適合用于高可靠性、緊湊型的電力轉換模塊，在多種嚴苛工作環境中保持穩定性能。
