IPW65R095C7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達36A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為75mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高效率電源系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置及高頻電力電子設(shè)備。其寬柵壓范圍有助于提升驅(qū)動電路的適配性與運行穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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