SCT3030ALHRC11-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流ID為99A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDS(on)為26mΩ，柵源電壓VGS工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓、大電流條件下展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高效率電力電子設(shè)備。其寬VGS范圍提升了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)低RDS(on)有助于優(yōu)化熱管理與系統(tǒng)整體能效。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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